| 发明名称 | 存储元件及使用该存储元件的储存装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。 | ||
| 申请公布号 | CN101145600A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710163092.5 | 申请日期 | 2004.03.18 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 荒谷胜久;河内山彰;石田实 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平;彭久云 |
| 主权项 | 1.一种储存元件，包括：非结晶薄膜，其位于第一电极和第二电极之间，其中所述第一和第二电极中一个或全部电极包含银或铜，且所述非结晶薄膜不包含银或铜元素且包括氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||