| 发明名称 | 制备具有掩埋掺杂区的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种不需要设置外延沉积层而提供掺杂半导体区(40)的方法，该半导体掺杂区掩埋在半导体衬底(10)表面下。所述方法包括在半导体衬底中形成第一和第二沟槽部分(26，28)，然后将掺杂剂(100)引入沟槽部分内，并将掺杂剂扩散进入半导体衬底中，以形成掺杂半导体区(40)，该掺杂半导体区从第一沟槽部分延伸至第二沟槽部分。在衬底中与掺杂沟槽相邻，设置例如由两个阻挡沟槽(16，18)形成的扩散阻挡，以便在掺杂半导体区上方维持未掺杂区(30)。有利地，通过改变掺杂沟槽和扩散阻挡的深度和尺寸/间隔、掺杂和扩散参数，可调整掩埋层的电性能。随后可使用多晶硅填充掺杂沟槽，以提供与掩埋掺杂区的电接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101147251A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680009580.4 | 申请日期 | 2006.03.21 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 吉勒·费鲁;泽格·巴尔迪 |
| 分类号 | H01L21/74(2006.01);H01L29/868(2006.01) | 主分类号 | H01L21/74(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底(10)的表面下设置掺杂半导体区的方法，该方法包括以下步骤：-在半导体衬底中形成第一和第二沟槽部分(26，28)；-将掺杂剂(100)引入沟槽部分内，并将掺杂剂扩散进入半导体衬底以便形成掺杂半导体区，该掺杂半导体区从第一沟槽部分(26)延伸至第二沟槽部分(28)；其中该方法进一步包括如下步骤：-在扩散掺杂剂之前，在半导体衬底中形成扩散阻挡，所述扩散阻挡用以阻止掺杂剂从第一和/或第二沟槽部分扩散，从而在掺杂半导体(40)区上方维持未掺杂区(30)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||