一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法

摘要

本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域，公开了一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法，该方法包括：A.在硅晶片背面淀积氮化硅薄膜；B.保护正面，背面光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口；C.在硅晶片正面淀积一层PSG薄膜，在PSG层上再淀积一层多晶硅薄膜；D.在多晶硅薄膜上再淀积一层PSG，退火，对多晶硅薄膜进行磷掺杂；E.去掉PSG，光刻，刻蚀形成执行器图形；F.正面淀积一层氮化硅薄膜，光刻，刻蚀形成接触孔；G.正面光刻，打底胶，电子束蒸发Cr/Au，剥离形成金属线圈以及电极；H.腐蚀背面体硅，直到PSG层；I.在HF溶液中腐蚀PSG层，释放执行器。本发明简化了制作工艺，克服了用于流体控制的微执行器驱动力小的问题。

主权项

1、一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、在硅晶片背面淀积氮化硅薄膜；B、保护正面，背面光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口；C、在硅晶片正面淀积一层PSG薄膜，在PSG层上再淀积一层多晶硅薄膜；D、在多晶硅薄膜上再淀积一层PSG，退火，对多晶硅薄膜进行磷掺杂；E、去掉PSG，光刻，刻蚀形成执行器图形；F、正面淀积一层氮化硅薄膜，光刻，刻蚀形成接触孔；G、正面光刻，打底胶，电子束蒸发Cr/Au，剥离形成金属线圈以及电极；H、腐蚀背面体硅，直到PSG层；I、在HF溶液中腐蚀PSG层，释放执行器。