| 发明名称 | 一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数值结压降V<sub>ce</sub>与结温T<sub>j</sub>的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Z<sub>th‑jc(direct)</sub>(t)；绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Z<sub>th‑jc(metal)</sub>(t)；绘制瞬态热阻抗分离点曲线；确定器件结壳热阻，测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差，配套的测量夹具也相对比较简单，提高了测量方便性和测量结果的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN105806887A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610258586.0 | 申请日期 | 2016.04.22 |
| 申请人 | 全球能源互联网研究院;国网浙江省电力公司;华北电力大学 | 发明人 | 邓二平;张朋;赵志斌;黄永章 |
| 分类号 | G01N25/20(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01R1/04(2006.01)I | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：(1)绘制器件电学参数结压降V<sub>ce</sub>与结温T<sub>j</sub>的关系曲线；(2)绘制器件壳表面与散热基板间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Z<sub>th‑jc(direct)</sub>(t)；(3)绘制器件壳表面与散热基板间添加金属层时的瞬态热阻抗曲线Z<sub>th‑jc(metal)</sub>(t)；(4)绘制瞬态热阻抗分离点曲线；(5)确定器件结壳热阻。 | ||
| 地址 | 102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内 | ||