| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN106033731A | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201510110254.3 | 申请日期 | 2015.03.13 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许家福 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一底薄膜层；进行一第一紫外光处理；形成一氧化物半导体层于该底薄膜层上，其中该氧化物半导体层是选自由氧化铟镓锌、氧化铟铝锌、氧化铟锡锌、氧化铟铝镓锌、氧化铟锡铝锌、氧化铟锡铪锌以及氧化铟铪铝锌所构成的群组；以及进行一第二紫外光处理。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||