READING A MEMORY CELL USING A REFERENCE CELL AND A COMMON SENSING PATH

摘要

방법은 데이터 전압을 발생시키기 위해 데이터 셀의 상태를 감지하는 단계를 포함한다. 데이터 셀의 상태는 데이터 셀의 프로그램가능 저항 기반 메모리 엘리먼트의 상태에 대응한다. 방법은 기준 전압을 발생시키기 위해 기준 셀의 상태를 감지하는 단계를 더 포함한다. 데이터 셀의 상태 및 기준 셀의 상태는 공통 감지 경로를 통해 감지된다. 방법은 데이터 전압 및 기준 전압에 기초하여 데이터 셀의 논리 값을 결정하는 단계를 더 포함한다.