| 发明名称 | 用于生产具有同时回蚀刻的掺杂区的太阳能电池的方法 | ||
| 摘要 | 公开一种用于生产太阳能电池的方法，在其中多个掺杂区被选择性地或在它们的整个的表面上回蚀刻。在半导体衬底(1)被提供之后，在半导体衬底的表面的部分区中形成多个不同掺杂区(3、5)，多个不同掺杂区(3、5)关于它们的掺杂浓度和/或它们的掺杂极性不同。然后多个不同掺杂区(3、5)被有目的地回蚀刻以实现期望的掺杂分布，并且最终在掺杂区(3、5)中的至少一些形成电触点(21)。多个不同掺杂区的回蚀刻在蚀刻介质中在共用的蚀刻操作中发生。为了使多个不同掺杂区(3、5)的这样的共用的回蚀刻成为可能，提出关于被蚀刻的掺杂区内的期望的掺杂分布的性质，有目的地调整初始未蚀刻的掺杂区(3、5)的性质和影响蚀刻操作的参数二者。 | ||
| 申请公布号 | CN106104814A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580013572.6 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 康斯坦茨大学 | 发明人 | 乔希·恩格尔哈特;亚历山大·弗雷;伊冯娜·希尔;巴巴拉·特赫旦 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 一种用于生产太阳能电池的方法，包括：提供半导体衬底(1)；在所述半导体衬底的至少一个表面的部分区中形成多个不同掺杂区(3、5)，其中所述多个不同掺杂区在它们的掺杂浓度和/或它们的掺杂极性上不同；回蚀刻所述多个不同掺杂区，以在所述掺杂区内实现期望的掺杂分布；至少在所述掺杂区中的一些形成电触点(21)；其特征在于，所述多个不同掺杂区的所述回蚀刻是在蚀刻介质的影响下在共用的蚀刻操作中实施的，其中关于被蚀刻的掺杂区内的所述期望的掺杂分布的性质，有目的地调整初始未蚀刻的掺杂区的性质和影响所述蚀刻操作的参数二者。 | ||
| 地址 | 德国康斯坦茨 | ||