发明名称 |
半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨二氧化硅类材料层的被研磨面时的研磨速度的图案依赖性小,可在抑制凹部的研磨的同时优先地研磨凸部,能够以极少的研磨量实现将被研磨面高度平坦化的技术。在半导体集成电路装置的制造中,被研磨面为二氧化硅类材料层的被研磨面的情况下,作为用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂,使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水的研磨剂。 |
申请公布号 |
CN101147242A |
申请公布日期 |
2008.03.19 |
申请号 |
CN200680009433.7 |
申请日期 |
2006.02.27 |
申请人 |
旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司 |
发明人 |
吉田伊織;金喜則 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沙永生 |
主权项 |
1.研磨剂,它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂,其特征在于,前述被研磨面为二氧化硅类材料层的被研磨面,该研磨剂含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水。 |
地址 |
日本东京 |