| 发明名称 | 具有不同表面取向的SOI活性层 | ||
| 摘要 | 一种具有SOI构造并且活性区域对于不同沟道类型晶体管具有不同表面取向的晶片。在一个实例中，具有第一表面取向的半导体结构(201，203，205)形成在施主晶片(101)上。具有第二表面取向的半导体结构(401，403，405)形成在第二晶片(301)上。受体开口形成在第二晶片(301)上。具有第一表面取向的半导体结构位于受体开口中并转移到第二晶片。作为结果的晶片具有对于第一沟道类型的晶体管具有第一表面取向的半导体区域以及对于第二沟道类型的晶体管具有第二表面取向的半导体区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101331583A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200680046979.X | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | O·O·艾蒂图图;R·E·琼斯;T·R·怀特 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面取向的半导体层的第一晶片；选择性地刻蚀半导体层以形成第一表面取向的半导体结构和受体开口；提供不同于第一表面取向的第二表面取向的半导体结构；将第二表面取向的半导体结构定位到受体开口中；在第一表面取向的半导体结构中形成第一类型的晶体管；以及在第二表面取向的半导体结构中形成不同于第一类型的第二类型的晶体管。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||