半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置

摘要

この半導体装置の製造方法は、半導体チップ１に、略円錐形状に突出したバンプ電極１００を形成するバンプ形成工程と、基板１０に、内側面が略角錐形状又は角柱形状の凹部２１０を有するパッド電極２００を形成するパッド形成工程と、バンプ電極１００を凹部２１０に挿入した状態で、バンプ電極１００とパッド電極２００とを互いに近づける方向に加圧し、バンプ電極１００の中心軸と凹部２１０の中心軸とを一致させた状態とする加圧工程と、バンプ電極１００及びパッド電極２００の少なくとも一方を超音波により振動させ、バンプ電極１００とパッド電極２００とを接合させる超音波接合工程と、を備えた。