发明名称 钝化修补太阳能电池缺陷之方法
摘要 一种钝化修补太阳能电池缺陷之方法,系应用电浆浸没离子布植(Plasma Immersion Ion Implantation,PIII)方式,对于太阳光电元件之太阳能电池及其他光电元件作缺陷(Defect)填补之制程运用,并可在制作太阳光电元件过程中进行离子布植修补缺陷,亦或在完成太阳光电元件合成后进行者。藉此,系将氢离子以不同能量植入于太阳能电池内之不同厚度之吸光层与界面内,以填补吸光层与界面之缺陷空隙或表面复合中心,可有效减少太阳能电池在制作过程中可能产生之缺陷,藉以改善载子传输特性,进而提高太阳能电池之光电转换效率(Efficiency)。
申请公布号 TWI402898 申请公布日期 2013.07.21
申请号 TW098129686 申请日期 2009.09.03
申请人 行政院原子能委员会 核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 发明人 蔡文发;廖炯峰;陈彦瑜;刘致为;艾启峰
分类号 H01L21/265;H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号