| 发明名称 | 贴合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种贴合基板的制造方法，是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法，其特征是具备：第一制程，是在前述有源层用晶圆的表面，沿着外周部，在整个圆周的内侧，设置沟槽；第二制程，是以设置有前述沟槽的面作为贴合面，来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆；及第三制程，是将前述有源层用晶圆薄膜化，并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。以此，能提提供一种贴合基板的制造方法，在薄膜化有源层用晶圆时，能够将制程简略化，且能够防止破裂或缺损、产生灰尘等，并能够管理有源层用晶圆的边缘部的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101331585A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200680047234.5 | 申请日期 | 2006.11.27 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 三谷清 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种贴合基板的制造方法，是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法，其特征是具备：第一制程，是在前述有源层用晶圆的表面，沿着外周部，在整个圆周的内侧设置沟槽；第二制程，是以设置有前述沟槽的面作为贴合面，来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆；及第三制程，是将前述有源层用晶圆薄膜化，并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||