アザ置換ホスフィンオキシドマトリックス及び金属塩を含む半導体材料

摘要

本発明は、少なくとも１つの金属カチオンの塩又は錯体と、アザ置換されたホスフィンオキシド化合物とを含んでおり、電気的特性が改善された半導体材料と、当該有機半導体材料に適した化合物と、当該電気的特性が改善された半導体材料を利用する電子デバイスとに関する。