| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für ein beschichtetes Substrat und entsprechendes beschichtetes Substrat |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein beschichtetes Substrat (16) mit den Schritten: Ausbilden (S1) einer amorphen Siliziumschicht (11) auf einer Oberfläche (10a) eines Substrats (10); Auskristallisieren (S2) der amorphen Siliziumschicht (11) in eine polykristalline Siliziumschicht (12); und Ausbilden (S3) einer Indiumantimonid-Schicht (14) auf der polykristallinen Siliziumschicht (12). |
| 申请公布号 |
DE102015208519(A1) |
申请公布日期 |
2016.11.10 |
| 申请号 |
DE201510208519 |
申请日期 |
2015.05.07 |
| 申请人 |
Robert Bosch GmbH |
发明人 |
Kappe, Philip;Patak, Christian;Ametowobla, Mawuli |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/335;H01L43/06;H01L43/14 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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