| 发明名称 | 使用BESONOS元件的次栅AND架构的结构及方法 | ||
| 摘要 | 一种带隙设计的SONOS元件结构，其用于具有各种AND架构的设计来执行源极侧注入程序化方法。BE－SONOS元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物－氮化物－氧化物－氮化物－氧化物堆栈的控制栅极与覆盖栅极氧化物的次栅之间。在第一实施例中，BE－SONOS次栅AND阵列架构被构造成具有次栅线和扩散位线的多列SONONOS元件。在第二实施例中，BE－SONOS次栅反转位线AND架构被构造成具有次栅反转位线但不具有扩散位线的多列SONONOS元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101079426A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200710003657.3 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;连浩明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L29/78(2006.01);G11C16/02(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种集成电路元件，其特征在于，包含：半导体基底；多个存储器单元，位于所述半导体基底上，每一所述存储器单元都具有安置在栅极与次栅之间的分隔介电层，每一所述栅极都覆盖障碍氧化物-电荷存储层-调制的穿隧电介质堆栈，每一所述次栅都覆盖栅极氧化物；以及N+埋入式扩散，安置在所述半导体基底中且位于第一栅极氧化物与第一障碍氧化物-电荷存储层-调制的穿隧电介质堆栈之间的下面，所述N+埋入式扩散用作第一扩散位线。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||