INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH SUBSTRATE ISOLATION AND UN-DOPED CHANNEL

摘要

본 개시내용은 반도체 구조체를 제공한다. 반도체 구조체는 기판 상에 형성되는 핀 구조체; 핀 구조체 위에 형성되는 게이트 스택; 기판 위에 및 게이트 스택의 대향 측 상에 배치되는 소스/드레인 영역; 핀 구조체 내에 및 게이트 스택 아래에 규정되는 채널 영역, 여기에서 채널 영역은 도핑되지 않고; 및 채널 영역과 기판 사이에 수직으로 배치되는 매립형 격리 층을 포함하며, 여기에서 매립형 격리 층은 화합물 반도체 산화물을 포함한다.