发明名称 | 化学机械抛光工具及用于清洁化学机械抛光垫的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及增强抛光垫清洁从而防止化学机械抛光(CMP)工艺中的晶圆刮伤和污染的两相清洁元件。在一些实施例中,两相垫清洁元件包括被配置成相继对一段CMP抛光垫进行操作的第一清洁元件和第二清洁元件。第一清洁元件包括兆频超声波清洁喷射件,其被配置成利用空化能量移出嵌入CMP抛光垫中的颗粒而不损伤抛光垫的表面。第二清洁元件被配置成施加包含两种流体的高压雾以从CMP抛光垫去除副产物。通过使用兆频超声波清洁来移出嵌入的颗粒,以及使用双流体雾来冲去副产物(例如,包括移出的嵌入颗粒),两相垫清洁元件增强了抛光垫清洁。本发明提供了CMP垫清洁装置。 | ||
申请公布号 | CN103252721B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
申请号 | CN201210208914.8 | 申请日期 | 2012.06.19 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴健立;李柏毅;黃循康;杨棋铭;林进祥 |
分类号 | B24B53/017(2012.01)I | 主分类号 | B24B53/017(2012.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种化学机械抛光工具,包括:工件载具,被配置成容纳工件;抛光垫,位于被配置成绕着旋转轴旋转的滚筒上;以及修整垫,被配置成修整所述抛光垫的表面以改善抛光性能;两相清洁元件,位于所述修整垫的下游和所述工件载具的上游,所述两相清洁元件包括:第一清洁元件,被配置成从所述抛光垫的表面去除缺陷;以及第二清洁元件,被配置成从所述抛光垫的表面去除残留物;第一流体源,通过第一导管连接至所述第一清洁元件并且被配置成向所述第一清洁元件提供第一流体;其中,所述第一清洁元件包括扇型喷嘴布局,所述扇型喷嘴布局在所述抛光垫的表面上方提供均匀的能量分布。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |