发明名称 一种避免电镀沉积铜装置沉积的薄膜生成空穴的方法
摘要 本发明提供一种避免电镀沉积铜(Electro-Chemical Deposition Copper,ECD-Cu)装置沉积的薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽,一阳极,设于该电解槽内,以及一旋转平台,用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时,控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转,以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡,进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。
申请公布号 CN1259460C 申请公布日期 2006.06.14
申请号 CN200410006409.0 申请日期 2004.02.27
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈学忠;蔡腾群;杨名声
分类号 C25D7/12(2006.01);C25D17/00(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/445(2006.01) 主分类号 C25D7/12(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 马娅佳
主权项 1.一种避免一电镀沉积铜装置沉积的薄膜生成空穴的方法,该电镀沉积铜装置包含有一电解槽用来盛装一电解液,一阳极设于该电解槽内,以及一旋转平台,用来置放一作为电镀沉积阴极的晶圆,该方法使该旋转平台于该电镀沉积铜制程进行时以1秒至10秒的周期交替正逆方向旋转。
地址 台湾省新竹市
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