| 发明名称 | 带有非晶硅梁的集成半导体器件、制造方法和设计结构 | ||
| 摘要 | 公开了采用CMOS工艺、制造方法和设计结构集成的体声波滤波器和/或体声波谐振器。所述方法包括形成至少一个包括非晶硅材料(29)的梁(44)并且在所述非晶硅梁上方并且与其相邻提供绝缘体材料(32)。该方法还包括形成穿过绝缘体材料的通孔(50)并且暴露非晶硅梁(44)下面的材料(25)。该方法还包括在通孔中和非晶硅梁上方提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上和绝缘体材料上方提供盖子(38)。该方法还包括通过盖子(排放孔40)排放牺牲材料和下面材料，以分别在非晶硅梁之上形成上部空腔(42a)并且在非晶硅梁之下形成下部空腔(42b)。 | ||
| 申请公布号 | CN103930979B | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201280055058.5 | 申请日期 | 2012.10.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·E.·鲁斯;A·K.·斯坦珀 |
| 分类号 | H01L21/469(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/469(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 边海梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成包括非晶硅材料的至少一个梁；在非晶硅梁之上并且与其相邻提供绝缘体材料；形成通过绝缘体材料的通孔并且暴露非晶硅梁下面的材料；在通孔中以及在非晶硅梁之上提供牺牲材料；在牺牲材料上并且在绝缘体材料上方提供盖子；及通过盖子排放牺牲材料和下面材料，以便分别在非晶硅梁之上形成上部空腔并且在非晶硅梁之下形成下部空腔。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||