一种负载有纳米银的氟化石墨烯复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种负载有纳米银的氟化石墨烯复合材料的制备方法，包括如下步骤：1)将石墨烯薄膜至于PECVD反应室中，设压力为5×10^‑4‑10^‑3Pa，温度为200‑600℃，等离子体产生的微波功率为300‑500W，以氩气为载体，通入氟气，反应1‑20h，得到氟化石墨烯薄膜；2)将得到的氟化石墨烯薄膜转移至原子沉积腔室中，采用惰性气体除气20min‑30min，调节超真空反应腔的真空度为10^‑6‑10^‑7Pa，调节温度为400℃‑700℃；3)以银为靶材，通过电子束轰击蒸发形成银反应气源，通入到沉积腔室中，时间为20‑100ns，再通入惰性载气50‑200ns，重复步骤5‑20min，交替通入银反应气源和惰性载气，在氟化石墨烯薄膜上生长形成纳米银，得到负载有纳米银的氟化石墨烯复合材料。本发明得到的复合材料具有优良性能。

主权项

一种负载有纳米银的氟化石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将石墨烯薄膜至于PECVD反应室中，设压力为5×10^‑4‑10^‑3Pa，温度为200‑600℃，等离子体产生的微波功率为300‑500W，以氩气为载体，通入氟气，反应1‑20h，得到氟化石墨烯薄膜；2)将得到的氟化石墨烯薄膜转移至原子沉积腔室中，采用惰性气体除气20min‑30min，调节超真空反应腔的真空度为10^‑6‑10^‑7Pa，调节温度为400℃‑700℃；3)以银为靶材，通过电子束轰击蒸发形成银反应气源，通入到沉积腔室中，时间为20‑100ns，再通入惰性载气50‑200ns，重复步骤5‑20min，交替通入银反应气源和惰性载气，在氟化石墨烯薄膜上生长形成纳米银，得到负载有纳米银的氟化石墨烯复合材料。