发明名称 双晶式磁通闸结构
摘要 本创作系一种双晶式磁通闸结构,该双晶式磁通闸结构包括:一第一晶片,该第一晶片包括:一第一激发层;一第二晶片,该第二晶片包括:一第二激发层,该第二激发层与该第一激发层电性连接且构成一第一激发线圈;一第一磁芯,该第一磁芯置于该第一激发线圈内;一拾波线圈,该拾波线圈位于该第一激发线圈旁。藉由,第一磁芯、第一激发线圈、拾波线圈构成一磁通闸,达成有效利用晶片之空间。
申请公布号 TWM461056 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW102202308 申请日期 2013.02.01
申请人 国立台北科技大学 台北市大安区忠孝东路3段1号 发明人 吕志诚;郑振宗;赵方毓;邱士良
分类号 G01R33/00 主分类号 G01R33/00
代理机构 代理人
主权项
地址 台北市大安区忠孝东路3段1号