| 发明名称 |
Ion planting while growing a III-nitride layer |
| 摘要 |
A method that includes implantation of dopants while a III-nitride body is being grown on a substrate, and an apparatus for the practice of the method.
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| 申请公布号 |
US2008315129(A1) |
申请公布日期 |
2008.12.25 |
| 申请号 |
US20080006562 |
申请日期 |
2008.01.03 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BRIERE MICHAEL A. |
| 分类号 |
G21K5/10;H01L21/20 |
主分类号 |
G21K5/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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