| 发明名称 | 氮化物半导体结构以及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体结构生长出h‑BN薄膜或者t‑BN薄膜(12)以及纤锌矿型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层，在其上形成单晶纤锌矿型AlGaInBN薄膜(13)。GaN、AlGaN、AlN等为具有sp<sup>3</sup>键的纤锌矿型结构，相对于此，h‑BN、t‑BN为具有sp<sup>2</sup>键的石墨型结构，而晶体结构完全不同。因此，以往没能考虑到能够在石墨型h‑BN薄膜上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜。与此相对，当在石墨型氮化硼薄膜(12)上形成纤锌矿型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层时，可以在其上生长出GaN等纤锌矿型AlGaInBN(13)氮化物半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103733308B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201280037824.5 | 申请日期 | 2012.09.05 |
| 申请人 | 日本电信电话株式会社 | 发明人 | 小林康之;熊仓一英;赤坂哲也;牧本俊树 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 刘宗杰;吕琳 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体结构，其特征在于，具备：由蓝宝石基板上的(0001)六方晶氮化硼薄膜、和上述六方晶氮化硼薄膜上的纤锌矿型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜构成的缓冲层、以及上述纤锌矿型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜上的纤锌矿型AlGaInBN薄膜，其中，x＞0。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||