半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置

摘要

本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

主权项

一种半导体器件，其包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括：第一电极；以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包括第一层间绝缘膜和第一防扩散绝缘膜，所述第一防扩散绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并围绕所述第一电极的周边，所述第一电极与所述第一防扩散绝缘膜互相配合而构成结合表面，所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括：第二电极，所述第二电极接合至所述第一电极；以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括第二层间绝缘膜和第二防扩散绝缘膜，所述第二防扩散绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并围绕所述第二电极的周边，并且，所述第二电极与所述第二防扩散绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面，所述第一基板的所述结合表面仅由所述第一电极和所述第一防扩散绝缘膜构成，并且，所述第二基板的所述结合表面仅由所述第二电极和所述第二防扩散绝缘膜构成。