| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供源漏扩散层中的硅化物层均匀，而且栅电极上的硅化物层的厚度是无断线之虞的厚度的半导体装置及其制造方法。在栅电极(8)的两侧，设置其它栅电极(8’)和虚设栅电极(9)。在形成高熔点金属膜时，在栅电极8及其它栅电极(8’)之间，和栅电极(8)及虚设栅电极(9)之间，由于以同样的膜厚形成高熔点金属膜，所以在源漏扩散层(5)上形成的第2硅化物层(7)也在元件区域(10)中成为大致均匀的膜厚。另外，在栅电极(8、8’)上，也同样形成高熔点金属膜，它成为第1硅化物层(6)。但第1硅化物层(6)比第1硅化物层(7)厚，所以无断线之虞。 | ||
| 申请公布号 | CN1531108A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN200410006686.1 | 申请日期 | 2004.02.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 松元道一 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，是具备具有栅电极的MOS晶体管的半导体装置，其特征在于：在所述栅电极的两侧，分隔配置虚设图案；在所述栅电极的上部，形成第1硅化物层；在位于所述栅电极和所述虚设图案之间的区域，形成第2硅化物层；所述第1硅化物层的厚度，比所述第2硅化物层的厚度厚。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||