| 发明名称 | 高输出第Ⅲ族氮化物发光二极管 | ||
| 摘要 | 公开一种发光二极管，它包含碳化硅基片和在该基片上由第III族氮化物材料系制成的发光结构。该二极管的面积大于100,000μm<SUP>2</SUP>以及在390nm与540nm之间主波长和20mA电流下的辐射通量至少有29mW。 | ||
| 申请公布号 | CN101027784A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580032028.2 | 申请日期 | 2005.09.15 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 约翰·A·埃德蒙;迈克尔·J·伯格曼;大卫·T·艾默森;克文·W·哈勃瑞恩 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，其面积大于100,000μm2以及在390nm与540nm之间主波长和20mA电流下的辐射通量至少有29mW。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||