发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 양호한 전기 특성 및 높은 신뢰성을 갖는 트랜지스터 및 그 트랜지스터를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 트랜지스터는 채널 영역에 대해 산화물 반도체를 사용하여 형성된 보텀-게이트 트랜지스터이다. 가열 처리를 통해 탈수화 또는 탈수소화된 산화물 반도체층이 활성층으로서 사용된다. 활성층은 미결정화된 표층부의 제 1 영역 및 나머지 부분의 제 2 영역을 포함한다. 이러한 구조를 갖는 산화물 반도체층을 사용함으로써, 표층부에 대한 수분의 혼입 또는 표층부로부터의 산소의 탈리로 인한 n-형으로의 변화 및 기생 채널의 생성이 억제될 수 있다. 또한, 산화물 반도체층과 소스 및 드레인 전극들 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있다.
申请公布号 KR20160149319(A) 申请公布日期 2016.12.27
申请号 KR20167035313 申请日期 2010.08.26
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 야마자키 슌페이;사카쿠라 마사유키;와타나베 료스케;사카타 준이치로;아키모토 켄고;미야나가 아키하루;히로하시 타쿠야;기시다 히데유키
分类号 H01L29/786;H01L27/12;H01L29/04 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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