发明名称 高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器
摘要 本发明公开了一种高频BaNd<SUB>2</SUB>Ti<SUB>4+x</SUB>O<SUB>12+2x</SUB> (0≤X≤1)系陶瓷介质材料、其制备方法以及所制得的陶瓷电容器。本发明的介质材料的组成用摩尔百分比表示如下:BaNd<SUB>2</SUB>Ti<SUB>4+x</SUB>O<SUB>12+2x</SUB>:60~80%,ZnO:8.0~15%,B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:4.0~10.0%,SiO<SUB>2</SUB>:3.0~8.0%。另外,本发明的介质材料还可含有0.3~1.0%的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和0.5~2.0%的MnO<SUB>2</SUB>,并可进一步含有0.5~5.0%的、选自Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、TiO<SUB>2</SUB>、SnO<SUB>2</SUB>和CaO中的一种或几种化合物。本发明的介质陶瓷材料的平均粒度约在0.7~1.7微米。本发明的环保型陶瓷介质材料具有如下优点:高频性能优良、高介电常数、热稳定性好、不含铅(Pb)、砷(As)、镉(Cd)、汞(Hg)、铬(Cr)等有害元素。
申请公布号 CN1635591A 申请公布日期 2005.07.06
申请号 CN200310117577.2 申请日期 2003.12.29
申请人 广东风华高新科技集团有限公司 发明人 张火光;韩建宏;付振晓;王作华;魏汉光;李文君;周志珍
分类号 H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/462 主分类号 H01G4/12
代理机构 广州三环专利代理有限公司 代理人 戴建波
主权项 1、一种高频陶瓷介质材料,该介质材料的主成分为BaNd2Ti4+xO12+2x,其中0≤X≤1,而且该主成分在所述介质材料中的摩尔百分含量为60~80%;按摩尔百分比计,所述介质材料含有如下的辅助成分:8.0~15%的ZnO、4.0~10.0%的B2O3和3.0~8.0%的SiO2。
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