发明名称 |
高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器 |
摘要 |
本发明公开了一种高频BaNd<SUB>2</SUB>Ti<SUB>4+x</SUB>O<SUB>12+2x</SUB> (0≤X≤1)系陶瓷介质材料、其制备方法以及所制得的陶瓷电容器。本发明的介质材料的组成用摩尔百分比表示如下:BaNd<SUB>2</SUB>Ti<SUB>4+x</SUB>O<SUB>12+2x</SUB>:60~80%,ZnO:8.0~15%,B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:4.0~10.0%,SiO<SUB>2</SUB>:3.0~8.0%。另外,本发明的介质材料还可含有0.3~1.0%的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和0.5~2.0%的MnO<SUB>2</SUB>,并可进一步含有0.5~5.0%的、选自Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、TiO<SUB>2</SUB>、SnO<SUB>2</SUB>和CaO中的一种或几种化合物。本发明的介质陶瓷材料的平均粒度约在0.7~1.7微米。本发明的环保型陶瓷介质材料具有如下优点:高频性能优良、高介电常数、热稳定性好、不含铅(Pb)、砷(As)、镉(Cd)、汞(Hg)、铬(Cr)等有害元素。 |
申请公布号 |
CN1635591A |
申请公布日期 |
2005.07.06 |
申请号 |
CN200310117577.2 |
申请日期 |
2003.12.29 |
申请人 |
广东风华高新科技集团有限公司 |
发明人 |
张火光;韩建宏;付振晓;王作华;魏汉光;李文君;周志珍 |
分类号 |
H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/462 |
主分类号 |
H01G4/12 |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 |
代理人 |
戴建波 |
主权项 |
1、一种高频陶瓷介质材料,该介质材料的主成分为BaNd2Ti4+xO12+2x,其中0≤X≤1,而且该主成分在所述介质材料中的摩尔百分含量为60~80%;按摩尔百分比计,所述介质材料含有如下的辅助成分:8.0~15%的ZnO、4.0~10.0%的B2O3和3.0~8.0%的SiO2。 |
地址 |
526020广东省肇庆市风华路18号风华电子城 |