| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极，前述衬垫电极具有凹凸状的压痕，在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN100382262C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN02829105.0 | 申请日期 | 2002.06.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 千叶修一;石栗雅彦;村田浩一;渡边英二;玉川道昭;佐藤明;户井田安司;三泽和博 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;经志强 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其包括基板、在前述基板上形成的衬垫电极和在前述衬垫电极上形成的凸块电极，其特征在于：前述衬垫电极具有凹凸状的压痕；在前述衬垫电极和前述凸块电极之间，局部设置有覆盖前述凹凸状的压痕的图案。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||