| 发明名称 | 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 | ||
| 摘要 | 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。 | ||
| 申请公布号 | CN100382347C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200510086639.7 | 申请日期 | 2005.10.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 牛智川;倪海桥;韩勤;张石勇;吴东海;赵欢;杨晓红;彭红玲;周志强;熊永华;吴荣汉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||