| 发明名称 | AlN/SiO<SUB>2</SUB>纳米多层硬质薄膜 | ||
| 摘要 | 一种AlN/SiO<SUB>2</SUB>纳米多层硬质薄膜，属于陶瓷薄膜领域。本发明由AlN层和SiO<SUB>2</SUB>层交替沉积在金属或陶瓷基底上形成，AlN层的厚度为3～6nm，SiO<SUB>2</SUB>层厚为0.4～1.2nm。本发明AlN/SiO<SUB>2</SUB>纳米多层硬质薄膜具有SiO<SUB>2</SUB>被晶化并与AlN形成共格外延生长的超晶格柱状晶的结构特征。本发明的AlN/SiO<SUB>2</SUB>纳米多层硬质薄膜不但具有优良的高温抗氧化性，而且具有较高的硬度；其硬度高于28GPa。最高硬度可达32GPa。本发明作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层，具有很高的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN1887815A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200610029135.6 | 申请日期 | 2006.07.20 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李戈扬;赵文济;孔明;戴嘉维 |
| 分类号 | C04B41/89(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | C04B41/89(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1、一种AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜，其特征在于，SiO2层(1)和AlN层(2)形成在金属或陶瓷基体(3)上，SiO2层(1)的厚度为0.4～1.2nm，AlN层(2)的厚度为3～6nm，AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜的总厚度为2-4μm。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||