| 发明名称 | 高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型接触孔和N型源，在N型漂移区内设有N型漏，在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P型阱与N型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在P型接触孔和N型源上、多晶硅栅上、N型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有的多晶硅场极板与多晶硅栅连接，N型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，沿N型源至N型漏的方向依次排列，掺杂浓度由大到小依次为第四区、第三区、第二区、第一区。 | ||
| 申请公布号 | CN100470840C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200610041323.0 | 申请日期 | 2006.08.14 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;易扬波;李海松;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 1、一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，包括N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有P型阱(2)和N型漂移区(3)，在P型阱(2)内设有P型接触孔(6)和N型源(5)，在N型漂移区(3)内设有N型漏(4)，在P型阱(2)和N型漂移区(3)的上方设有栅氧化层(7)，在栅氧化层(7)上方设有多晶硅栅(8)且多晶硅栅(8)位于P型阱(2)与N型漂移区(3)交界的上方，在栅氧化层(7)及多晶硅栅(8)的上方设有场氧化层(10)，在P型接触孔(6)和N型源(5)上连接有铝引线(11)，在多晶硅栅(8)上连接有铝引线(12)，在N型漏(4)上连接有铝引线(13)，在场氧化层(10)内设有多晶硅场极板(9)，该多晶硅场极板(9)与多晶硅栅(8)连接，其特征在于N型漂移区(3)由第一区N1、第二区N2、第三区N3及第四区N4组成，该四个区沿N型源(5)至N型漏(4)的方向从左向右依次排列，上述第一区N1始于P型阱(2)的右边界终于多晶硅栅(8)的右端部，第二区N2始于多晶硅栅(8)的右端部终于多晶硅场极板(9)的右端部，第三区N3始于多晶硅场极板(9)的右端部终于与N型漏(4)连接铝引线(13)的左末端，第四区N4始于与N型漏(4)连接铝引线(13)的左末端终于N型漏(4)的右末端，上述第四区N4的掺杂浓度大于第三区N3，第三区N3的掺杂浓度大于第二区N2，第二区N2的掺杂浓度大于第一区N1，所述第一区N1、第二区N2、第三区N3和第四区N4的掺杂浓度分别为：0≤x<L1L1≤x≤L2N3(x)＝Mαf3x L2<x<L3L3≤x≤L4其中L1，L2，L3和L4分别为N1，N2，N3和N4区域的右边界位置。ts1，ts2，ts3和ts4分别为L1，L2，L3和L4区域的耗尽层宽度。t1为栅氧化层的厚度，t2和t3为多晶栅场极板和漏端铝场极板下各自对应的场氧层的厚度。εox和εsi分别为二氧化硅和硅的相对介电常数。Vg为器件的栅电压，Vd为器件所需的击穿电压。td为N型漂移区的结深，Nd(x)为初始杂质浓度。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||