有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法

摘要

有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R¹选自直链或支链C₃‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₁₀烯基、直链或支链C₃‑C₁₀炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、吸电子基团和C₆‑C₁₀芳基；R²选自氢、直链或支链C₁‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₆烯基、直链或支链C₃‑C₆炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、C₆‑C₁₀芳基、直链或支链C₁‑C₆氟化烷基、吸电子基团和C₄‑C₁₀芳基；任选地其中R¹和R²连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。

主权项

包含Si‑N键、Si‑Si键和Si‑H₃基团的有机氨基乙硅烷前体，由下式I表示：其中R¹选自直链或支链C₃‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₁₀烯基、直链或支链C₃‑C₁₀炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、吸电子基团和C₆‑C₁₀芳基；R²选自氢、直链或支链C₁‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₆烯基、直链或支链C₃‑C₆炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、C₆‑C₁₀芳基、直链或支链C₁‑C₆氟化烷基、吸电子基团和C₄‑C₁₀芳基；任选地其中R¹和R²连接在一起以形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2；其中式I中的R¹和R²不能都是异丙基。