发明名称 |
Halbleiterbauelemente, ein Fluidsensor und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements |
摘要 |
Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen, die überwiegend Germanium umfassen. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur gebildet. Die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen weisen eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011 Quantenstrukturen pro cm2 auf. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist ausgebildet, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu absorbieren. |
申请公布号 |
DE102015108402(A1) |
申请公布日期 |
2016.12.01 |
申请号 |
DE201510108402 |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Hedenig, Ursula;Irsigler, Peter;Grille, Thomas;Popp, Thomas;Clara, Stefan;Ostermann, Thomas;Lavchiev, Ventsislav;Jacoby, Bernhard |
分类号 |
H01L33/06;G01F1/66;H01L31/101;H01L31/16 |
主分类号 |
H01L33/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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