| 摘要 |
열간 소성 가공할 때에 소성 변형되는 성형체의 측면에 균열이 발생하는 것을 억제하면서, 충분한 소성 변형을 도모함으로써 배향도가 높은 희토류 자석을 제조할 수 있는 희토류 자석의 제조 방법을 제공한다. 성형체 (S) 를 제조하는 스텝, 캐비티 (Ca) 를 구비한 다이스 (D) 와 캐비티 (Ca) 내에서 자유롭게 슬라이딩할 수 있는 펀치 (P) 로 이루어지는 소성 가공형을 준비하고, 캐비티 (Ca) 는 성형체 (S) 의 펀치 (P) 에 의한 가압 방향과 직교하는 단면보다도 단면 치수가 큰 단면을 갖고 있고, 캐비티 (Ca) 에 성형체 (S) 를 수용하여 열간 소성 가공을 실시하여 배향 자석 (C) 을 제조하는 스텝으로 이루어지고, 캐비티 (Ca) 의 단면의 단변의 길이를 W1, 성형체 (S) 의 단면의 캐비티 (Ca) 의 단변에 대응하는 변의 길이를 t1 로 했을 때에, t1/W1 이 0.55 ∼ 0.85 의 범위에 있고, 열간 소성 가공의 도중 단계에서부터 성형체 (S) 의 일부가 캐비티 (Ca) 의 측면에 구속되어 변형이 억제되고, 다른 부위가 비구속 상태로 되어 있다. |
