| 摘要 |
발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층; 및 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하며, 우물층 및 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 포함하는 활성층을 포함하되, 활성층은 비극성 또는 반극성의 성장면을 갖고, 상기 우물층은 수평 방향으로 압축 스트레인을 받으며, XRD(X-Ray Diffraction) ω2θ(omega 2theta) 스캔 값을 기준으로, 상기 활성층의 제1 순위 우물층 피크(1st order well layer peak)는 상기 제1 도전형 반도체층의 주 피크(main peak; 1st order peak)보다 작은 회절 각도를 가지며, 활성층의 제2 순위 우물층 피크(2nd order well layer peak)는 1450 arcsec 미만의 반치폭(FWHM)을 갖는다. |
