发明名称 | 一种静电放电防护组件及静电放电防护电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有深阱区结构的静电放电(ESD)防护组件及相关的ESD防护电路,ESD防护组件设于一耦接至一低电位电压源的P型基底上,其包含有一横向硅控整流器及一深N型阱,横向硅控整流器有一p型层、一N型层、一第一N型阱以及一第一P型阱,该p型层作为该SCR的一阳极,该N型层作为该SCR的一阴极,该第一N型阱设于该p型层与该N型层之间,邻接至该p型层,该第一P型阱邻接至该N型层与该第一N型阱,该深N型阱设于该第一P型阱与该P型基底之间,用以隔绝该第一P型阱至该P型基底之间的电连接。本发明的ESD防护组件可以被自由的串接多个,以提高ESD防护电路的总保持电压,并预防栓锁事件的发生。 | ||
申请公布号 | CN1209816C | 申请公布日期 | 2005.07.06 |
申请号 | CN02104721.9 | 申请日期 | 2002.02.09 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯明道;张恒祥;王文泰 |
分类号 | H01L23/60;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;陈红 |
主权项 | 1.一种静电放电防护组件,设于一耦接至一低电位电压源的P型基底,其特征在于:包含有:一横向硅控整流器SCR,其包含有:一p型层,作为该SCR的一阳极;一N型层,作为该SCR的一阴极;一第一N型阱,设于该p型层与该N型层之间,邻接至该p型层;以及一第一P型阱,邻接至该N型层与该第一N型阱;以及一深N型阱,设于该第一P型阱与该P型基底之间,用以隔绝该第一P型阱至该P型基底的电连接。 | ||
地址 | 台湾省新竹 |