发明名称 发光二极体磊晶结构及其制造方法
摘要 一种发光二极体磊晶结构,包括一矽基板及一半导体结构层,该矽基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层,该半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。本发明的磊晶结构由于在半导体结构层与基板之间形成有多个孔隙,二者之间由于热膨胀系数差异而导致残留的应力可被有效地缓解,从而确保磊晶结构的良品率。本发明还提供有一种制造磊晶结构的方法。
申请公布号 TWI414085 申请公布日期 2013.11.01
申请号 TW099122316 申请日期 2010.07.07
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏
分类号 H01L33/12 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号