发明名称 |
氮化镓表面低损伤蚀刻 |
摘要 |
氮化镓表面低损伤蚀刻:在基于氮化镓的器件上(如氮化镓HEMT),一般在器件的表面有一层或多层钝化层。无损伤刻蚀钝化层是器件制作中一项重要的生产工艺。本发明采用等离子体两步干法蚀刻方法,首先采用含氟高的氟/氯混合气体在较高的ICP功率下,完成75%的刻蚀,控制刻蚀坡度,然后采用含氯高的氟/氯混合气体,在较低的ICP功率下完成刻蚀。这样等离子体干法蚀刻对氮化镓的电气性能的损伤有显著降低。最后采用退火处理,进一步恢复刻蚀损伤,器件可靠性得到提高。 |
申请公布号 |
CN101162693A |
申请公布日期 |
2008.04.16 |
申请号 |
CN200610140756.1 |
申请日期 |
2006.10.09 |
申请人 |
西安能讯微电子有限公司 |
发明人 |
(发明人请求不公布姓名) |
分类号 |
H01L21/311(2006.01);H01L21/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.本发明适用于氮化镓器件制作中ICP和RIE等离子体刻蚀钝化层的情况。 |
地址 |
710075陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N611-20室 |