| 发明名称 | 一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法，属于微电子、微光学、微纳结构和光电子器件制备等微纳加工领域的光刻技术领域，解决现有技术存在的极紫外光源体积大，成本高，操作安全系数难以保证的问题。本发明步骤为：(1)制备存在不同缺陷的一维线性掩膜版；(2)获取涂有光刻胶的样片，并将掩膜版与样片进行对准；(3)获取紫外i线光对存在缺陷的掩膜版进行照明和对涂有光刻胶的样片进行曝光；(4)将曝光后的样片进行显影，后烘，刻蚀，去胶工艺,即可完成对存在缺陷的一维线性掩膜的缺陷恢复,制作得到完好一致的线性掩膜版。本发明可用于对缺陷掩膜结构的完整恢复。 | ||
| 申请公布号 | CN105892232A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610348109.3 | 申请日期 | 2016.05.24 |
| 申请人 | 四川科奥达技术有限公司 | 发明人 | 邓茜;刘俊伯;赵立新;胡松 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人 | 徐金琼 |
| 主权项 | 一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法，其特征在于：如下步骤；(1)制备存在不同缺陷的一维线性掩膜版；(2)获取涂有光刻胶的样片，并将掩膜版与样片进行对准；(3)获取紫外i线光对掩膜版照明和涂有光刻胶的样片进行曝光；(4)将曝光后的样片依次进行显影、后烘、刻蚀和去胶,即可完成对缺陷掩膜结构恢复,得到完整一致的掩膜结构。 | ||
| 地址 | 610207 四川省成都市双流航空港开发区 | ||