记忆体及其低偏移量限制偏压电路

摘要

本发明是有关于一种记忆体及其低偏移量限制偏压电路。本发明的记忆体，包括：多个记忆单元阵列区及低偏移量限制偏压电路，其中每一个记忆单元阵列区具有多个记忆单元，且低偏移量限制偏压电路，包括：定电压源产生器及限制偏压调变器。本发明的低偏移量限制偏压电路藉由限制偏压调变器与定电压源产生器所构成的回授机制，以使得提供至记忆单元阵列区内记忆单元的汲极端电压(Vd)变动量降低，故而无论记忆体在读取、写入或清除时，其准确度皆可提升。

主权项

1.一种低偏移量限制偏压电路，适用于记忆体，其特征在于其中记忆体具有多个记忆单元阵列区，且每一个记忆单元阵列区具有多个记忆单元，而该低偏移量限制偏压电路包括：定电压源产生器，耦接每一个记忆体单元阵列区，用以依据其每一个记忆单元的电流量，而输出固定电压；以及限制偏压调变器，耦接该定电压源产生器，用以比较参考电压与该固定电压后，而据以输出限制电压至该定电压源产生器，其中，当该固定电压大于该参考电压时，该限制电压会下降，以使得该固定电压下降至该参考电压，而当该固定电压小于该参考电压时，该限制电压会上升，以使得该固定电压上升至该参考电压。