主权项 |
1.一种高亮度氮化镓类发光二极体结构,包括:基板,其由氧化铝单晶(Sapphire)、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石(MgAl2O4)、和晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物之一制成;缓冲层,该缓冲层位于上述基板的一个侧面之上,由有特定组成的氮化铝镓铟(AlaGabIn1-a-bN,0≤a,b<1,a+b≤1)所构成;n型接触层,位于上述缓冲层之上,由氮化镓类材质构成;主动层,位于上述n型接触层之上,由氮化镓铟所构成;负电极,位于上述n型接触层未被该主动层覆盖的上表面上;p型被覆层,位于上述主动层之上,由p型氮化镓类材质所构成;p型接触层,位于上述p型被覆层之上,由p型氮化镓所构成;遮罩缓冲层,位于上述p型接触层之上,厚度介于5~100之间,是包含有多个随机分布的二元氮化物群聚的遮罩;p型粗糙接触层,由p型氮化铝镓铟AleInfGa1-e-fN,0≤e,f≤1,e+f≤1)所构成,位于上述遮罩缓冲层的遮罩所未遮盖的上述p型接触层的上表面上,向上延伸介于500~10000之间的厚度,超过但未覆盖上述遮罩缓冲层的遮罩;透明导电层,是位于上述p型粗糙接触层之上、且覆盖其部份表面的金属导电层或透明氧化层,该金属导电层由Ni/Au合金,Ni/Pt合金,Ni/Pd合金,Pd/Au合金,Pt/Au合金,Cr/Au合金,Ni/Au/Be合金,Ni/Cr/Au合金,Ni/Pt/Au合金,Ni/Pd/Au合金其中之一所构成,该透明氧化层是由ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn、In2O3:Zn、CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2、SrCu2O2其中之一所构成;以及正电极,是位于上述p型粗糙接触层之上、未被上述透明导电层覆盖的表面上,由Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au合金、Cr/Au合金、Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、TiWNx(x≥0)、WSiy(y≥0)其中之一所构成。 |