一次编程存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种一次编程存储器的制造方法。本发明的一次编程存储器的制造方法，主要用于半导体制造工艺的优化，提高半导体的芯片集成度。其主要是在硅基板上刻出槽后，形成电容介质膜，再以多晶硅填满沟槽，在硅基板中形成立体的电容。减少了占用的硅表面积，提高芯片的集成度。

主权项

1、一种一次编程存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅基板内挖出沟槽；第二步，在沟槽内注入N井或P井；第三步，注入一次编程存储器晶体管的源和漏；第四步，成长电容介质膜；第五步，沉积多晶硅，将整个槽填满；第六步，抛光硅基板表面，去除多余的多晶硅；第七步，成长晶体管门多晶硅，并和槽内的多晶硅接触形成电学导通。