| 发明名称 | 用于无应力导体去除的系统和方法 | ||
| 摘要 | 在包括接收构图的半导体衬底的双镶嵌结构中形成半导体的系统和方法。半导体衬底具有填充图形中的多个部件(102，104，106)的第一导电互连材料。第一导电互连材料具有过覆盖部分(112)。平坦化过覆盖部分。在平坦化处理中基本完全去除过覆盖部分。减少掩模层并在平坦化的过覆盖部分上形成后续介电层(1130)。在后续介电层上形成掩模。在后续介电层中形成一个或多个部件并且用第二导电互连材料填充。 | ||
| 申请公布号 | CN1906751A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200480041101.8 | 申请日期 | 2004.12.30 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | A·D·贝利三世;S·P·娄荷凯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王小衡;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于在双镶嵌结构中形成半导体的方法包括：接收具有填充图形中的多个部件的第一导电互连材料的构图的半导体衬底，第一导电互连材料具有过覆盖部分；平坦化过覆盖部分，在平坦化处理中基本完全去除过覆盖部分；减少掩模层；在平坦化的过覆盖部分上形成后续的介电层；在后续介电层上形成掩模；在后续介电层中形成一个或多个部件；以及用第二导电互连材料填充一个或多个部件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||