| 发明名称 | 超浅半导体结的制作 | ||
| 摘要 | 提供了一种采用高能同时注入步骤、低能掺杂剂注入步骤以及快速等温退火步骤的超浅半导体结的制造方法。还提供了诸如含有所述超浅半导体结的FET和CMOS器件之类的微电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100403493C | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN98123993.5 | 申请日期 | 1998.11.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 李锦良 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体材料中的浅结的方法，它包含下列步骤：(a)用第一离子，在足以将所述第一离子注入到第一深度的第一辐照能量下，辐照半导体材料的表面，(b)用掺杂剂离子，在足以将所述掺杂剂离子注入到小于所述第一深度的深度的第二辐照能量下，辐照所述表面，以及(c)在足以引起所述半导体材料中的所述掺杂剂离子显著退火的条件下，对所述半导体材料进行一定时间的加热，以防止所述掺杂剂离子显著扩散到大于所述第二深度的深度，其中，所述步骤(c)是快速热退火工艺，该快速热退火包含：(i)以大约每秒50-1000℃的速率，将所述半导体材料从室温加热到大约850-1100℃，(ii)保持所述温度大约1毫秒至5秒，以及(iii)以大约每秒50-1000℃的冷却速率，将所述被加热的半导体材料冷却到室温。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||