| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通路的位置精度高，高成品率，可靠性出色的半导体芯片内置于绝缘层等中的半导体装置及其制造方法。其具有：其上形成了外部连接用焊盘(23)和通路形成用的定位记号(22)的半导体芯片(20)；具有多个通路(14)的以非感光性树脂为成分的绝缘层(12)；以及通过通路(14)而与外部连接用焊盘(23)电连接并且至少有一部分在绝缘层(12)上面形成的布线(15)。绝缘层(12)在定位记号(23)上面的部分上形成了凹部(13)。凹部(13)的底面只是绝缘层(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN101355064A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810134324.9 | 申请日期 | 2008.07.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 村井秀哉;森健太郎;山道新太郎;川野连也;前田武彦;副岛康志 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/544(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体活性层侧形成了外部连接用焊盘和通路形成用的至少1个以上的定位记号的半导体芯片；具有在与上述外部连接用焊盘对准的位置形成的多个通路的以非感光性树脂为成分的绝缘层；以及通过上述通路而与上述外部连接用焊盘电连接并且至少有一部分在上述绝缘层上形成的布线，上述绝缘层在上述定位记号上面的部分上形成了凹部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||