发明名称 | 用于字符线多重平坦化的阶梯式多重回蚀工艺 | ||
摘要 | 本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法,至少包含提供具有字符线(word line)的基板,并在基板及字符在线沉积多晶硅层;接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom Antireflective Coating,BARC);接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环,每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch),蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行,阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。 | ||
申请公布号 | CN101355050A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
申请号 | CN200810132082.X | 申请日期 | 2008.07.24 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘世昌;刘源鸿;蔡嘉雄 |
分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
主权项 | 1、一种字符线蚀刻的方法,其特征在于,该方法至少包含下述步骤:(a)图刻一字符线;(b)在该字符线上沉积一层多晶硅;(c)在该层多晶硅上沉积一层底部抗反射材料;(d)使用一阶梯式蚀刻法蚀刻该底部抗反射层及该多晶硅层,该阶梯式蚀刻法会移除该底部抗反射层及一部分该多晶硅层;(e)在该已蚀刻的多晶硅层顶部表面沉积一介电层;以及(f)在该介电层上施加一掩膜层,并蚀刻至少一图形至该多晶硅层;其中该阶梯式蚀刻法包含一系列的蚀穿步骤及软性着陆蚀刻步骤。 | ||
地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |