发明名称 离子捕获迁移率频谱仪
摘要 一种离子捕获迁移率频谱仪(ITMS),包括用于接收检测关注物质的样品的入口。入口与电离室相通,而漂移室与电离室的下游端相通。第一格栅电极跨过电离室的下游端延伸,而第二格栅电极在第一格栅电极略向下游的方向并与第一格栅电极平行。将微小的电势偏置施加于第一格栅电极,从而将离子保持在第一和第二格栅电极之间的电势阱中。然而,向第一格栅电极周期性地施加脉冲以将离子加速到漂移室中。在产生脉冲之前电势阱中离子的积累,导致注入到漂移室中较窄谱带的离子并因此获得较高的分辨率。
申请公布号 CN101356432A 申请公布日期 2009.01.28
申请号 CN200680050776.8 申请日期 2006.12.20
申请人 通用电气安全股份有限公司 发明人 保罗·E·黑格
分类号 G01N27/64(2006.01);H01J49/40(2006.01) 主分类号 G01N27/64(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 封新琴
主权项 1、一种离子捕获迁移率频谱仪,包括:入口,用于接收检测至少一种关注物质的存在的样品;电离室,具有下游端和与所述入口相通的上游端;漂移室,具有与所述电离室的下游端相通的上游端,和与所述漂移室的上游端相对的下游端;靠近所述漂移室的下游端的收集电极,用于收集经过所述漂移室的离子;第一格栅电极和第二格栅电极,基本在所述电离室的下游端与所述漂移室的上游端之间的分界处基本上相互平行地排列;以及控制器,用于在所述第一格栅电极和第二格栅电极之间积累离子的离子积累阶段期间,相对于所述第二格栅电极施加微小的电势偏置到所述第一格栅电极,所述控制器还运行以施加脉冲到所述第一格栅电极从而将所述第一格栅电极和第二格栅电极之间积累的离子加速到所述漂移室中并朝向所述收集电极。
地址 美国佛罗里达州