| 发明名称 | 一种Na掺杂Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Na掺杂Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜的制备方法，属于光学薄膜制备技术领域。本方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在磁控溅射制备Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>(0≤x≤1)薄膜过程溅射NaF，或者交替分层制备Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜与NaF薄膜；3)对薄膜进行热处理。本发明通过采用上述两种Na掺杂方式，能够有效提高Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜的Na掺杂均匀性，进而提高Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105803392A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201410841847.2 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 王吉宁;王飞;刘晓鹏;蒋利军;王树茂 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 一种Na掺杂Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1‑x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜的制备方法，其中0≤x≤1，其特征在于，使用常规的磁控溅射方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在磁控溅射制备Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1‑x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜过程中共溅射NaF，或者交替分层制备Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1‑x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>薄膜与NaF薄膜；3)对薄膜进行热处理。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||