| 摘要 |
본 발명의 목적은 낮은 온-상태 전압과 높은 차단 능력을 갖는 전력 반도체 정류기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 목적은 제 1 도전형을 갖는 드리프트 층 (32); 및 상기 드리프트 층 (32) 과 쇼트키 콘택을 형성하는 전극 층 (35) 을 포함하는 전력 반도체 정류기에 의해 얻어지며, 상기 드리프트 층 (32) 은 1×10cm미만의 피크 순 도핑 농도를 갖는 베이스 층 (321), 및 적어도 상기 쇼트키 콘택의 부분을 형성하기 위해 상기 전극 층 (35) 과 직접 콘택하는 배리어 변조 층 (322) 을 포함하고, 상기 배리어 변조 층 (322) 의 순 도핑 농도는 1×10cm과 1×10cm사이의 범위에 있고, 상기 배리어 변조 층 (322) 은 상기 전극 층 (35) 과 상기 배리어 변조 층 (322) 사이의 계면에 대하여 수직인 방향으로 적어도 1 nm 이고 0.2 ㎛ 미만의 층 두께를 갖는다. |
